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国巨X5R 1210 100μF高容值积层陶瓷电容

 国巨公司(Yageo)成功开发X5R 1210 100μF(微法拉)高容值积层陶瓷电容MLCC。这是国巨公司于2005年7月起获得2,200万元补助金,执行“经济部”工业局“主导性新产品开发辅导计划”的研究成果,该计划已于2006年底结案。

国巨公司MLCC研发技术中心协理胡庆利博士表示:“X5R 1210 100μF积层陶瓷电容运用了多项先进技术,包括奈米粉体覆盖、内埋式电极、精密印刷、低温端电极等。藉由整合国巨研发团队资源以及工研院材化所、台大材料所的研发能力,在高容值MLCC产品的开发上,具备前所未有的指标意义。”

他解释说,所谓高容值MLCC的定义是,其电容值大于1μF,以及介电层厚度小于4微米。而这颗1210 100μF产品的介电层厚度为1.7~1.8微米,堆栈数高达八百余层,对国巨来说,是一项重要的技术突破。

而针对MLCC目前朝向小型化与高电容密度的发展趋势来看,胡庆利表示,透过此计划所累积的技术将有助于国巨未来开发出更高阶的产品。

但就市场应用来看,胡庆利指出,100μF高容值MLCC可应用于液晶电视、液晶显示器、电源供应器,及低功耗的手持式消费电子产品。目前,100μF的高容值电容市场是由钽质电容主导,而X5R 1210 100μF积层陶瓷电容的温度性稳定较高,在-55℃至85℃的工作温度范围内,误差值仅为±15%,生产成品率稳定,长期来看有可能在未来取代钽质电容市场需求。

但是,考虑成本效益与目前的市场需求,国巨公司积层陶瓷电容事业部副总经理胡湘麒表示,从市场需求来看,1210 100μF并不会是该公司今年的重点。另一颗小尺寸0603 10μF产品,是以计算机产品应用为主,才会是国巨今年高容值MLCC产品的重点。0603 10μF产品的介电层厚度为1.2微米,堆栈层数为三百多层;就介电层厚度的技术指标来看,还是一颗高端组件。

胡庆利表示,国巨仍将持续开发更高端的高容产品,并同时也会再积极争取经济部的相关研发计划,除高容外,高压、高频MLCC组件的开发都有可能是下一阶段的提案方向。

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